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N-Channel MOSFET 失效分析

2016-12-12  瀏覽量:3420

章銳華,王君兆

(深圳市美信檢測技術股份有限公司,深圳寶安,518108)

 

1 失效背景

客戶反饋其生產(chǎn)的某批次產(chǎn)品出現(xiàn)不能正常開機的現(xiàn)象,對失效產(chǎn)品局部加熱后,產(chǎn)品又能恢復正常工作。

 

2 分析過程簡述

1)電性能測試

對電路進行排查,結果顯示失效樣品的器件Q2引腳信號出現(xiàn)異常,該器件為N-Channel MOSFET,具體表現(xiàn)為:NG樣品Q2的D極電位正常,但是對G極的反饋信號無動作。Q2不能正常工作致使電源電路的DC3.3V輸出下降,該輸出達不到設計要求,將會直接導致系統(tǒng)出現(xiàn)不能正常開機。

 

失效分析

圖1 正常樣品與失效樣品Q2 pin腳信號對比

 

2)外觀檢查和X-Ray透視

對樣品進行外觀檢查和X-Ray透視對比,未發(fā)現(xiàn)任何異常。

 

3)動態(tài)性能測試

測試結果顯示:VDS固定,當器件在VGS作用下,DS之間溝道打開,隨著VGS增大,ID也會隨之增大,NG樣品在DS之間溝道打開后,出現(xiàn)ID突然下降至0的情況,對其進行加熱,該功能性測試即可恢復正常,靜置一段時間后,失效現(xiàn)象又會復現(xiàn)。出現(xiàn)上述現(xiàn)象的可能原因包括:a)Q2器件G與S之間存在漏電,導致加載在G端電壓下降至不足以開啟D與S之間的導電溝道;b)Q2器件D與S或者G與S之間存在開路。

 

失效分析 失效分析
圖3 動態(tài)性能測試(VGS-IDD)

 

4)C-SAM+切片+SEM

C-SAM測試結果顯示NG樣品固晶層分層明顯;SEM確認了這一現(xiàn)象:1)失效批次樣品的Q2固晶層出現(xiàn)明顯的分層不良;2)失效批次樣品的固晶層明顯比正常批次樣品厚。

 

失效分析 失效分析
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圖4 SEM照片

 

3 總結與結論

由于客戶無法提供未使用過的失效批次Q2樣品,因此進一步的驗證試驗無法開展,但是鑒于失效樣品具有明顯的批次性特征以及正常樣品未出現(xiàn)類似失效現(xiàn)象,本報告認為失效批次器件的本身質(zhì)量問題是導致本次失效的直接原因,與器件組裝無關。

 

*** 以上內(nèi)容均為原創(chuàng),如需轉載,請注明出處 ***

 

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