曾志衛(wèi)，王文康

（深圳市美信檢測技術(shù)股份有限公司，深圳寶安，518108）

摘要：通過TOF-SIMS對某連接器表面出現(xiàn)白點的位置進(jìn)行分析，定性的分析了OK位置和NG位置上表面10nm以內(nèi)成分，為連接器產(chǎn)生白點的原因作出合理的推斷。

關(guān)鍵詞：TOF-SIMS，連接器，異物分析

1 案例背景

此連接器夏天存放的時候在樣品的表面會出現(xiàn)一些白點，而且白點一般從無到有，并會慢慢的長大?？蛻粢髮Πc的成分進(jìn)行分析，鑒于表面異物含量比較少，所以采用TOF-SIMS的分析手段。

圖1 樣品測試前外觀圖片

2 分析方法簡述

TOF-SIMS是一種有效的表面分析手段，能檢測H在內(nèi)的所有元素及同位素，并能分析有機(jī)物的官能團(tuán)。所以對樣品表面進(jìn)行TOF-SIMS分析，NG位置和OK位置的測試結(jié)果如下圖所示，由譜圖可知，相比OK位置，NG位置含有較高的Cl和Br，這可能是引起連接器產(chǎn)生白點的主要原因。

圖2 樣品測試結(jié)果圖片

3 結(jié)論

由于NG位置含有較高含量的Cl和Br污染，在濕熱的環(huán)境下，吸潮形成電解液，產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕，導(dǎo)致連接器表面產(chǎn)生白點，隨著腐蝕加深，白點慢慢擴(kuò)散、變大。

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